Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация 2 P-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 3.1W
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 665pF @ 10V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26nC @ 10V
• Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.4V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC