Инвентаризация:4405

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® 1212-8 Dual
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 17.8W
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 860pF @ 10V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24nC @ 8V
  • Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® 1212-8 Dual

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 30V 21A/34A 8DFN

Инвентаризация: 8022

MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3

Инвентаризация: 352091

MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8SOIC

Инвентаризация: 22672

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 13008

MOSFET 2N-CH 20V 25A PPAK 1212

Инвентаризация: 13605

MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 2990

MOSFET 2N-CH 100V 12.1A PPAK1212

Инвентаризация: 13488

MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212

Инвентаризация: 7959

Top