- Модель продукта G1K8P06S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5500
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.2A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 594pF @ 30V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 170mOhm @ 1A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.3nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-SOP