- Модель продукта G2014
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 0
- Описание MOSFET N-CH 20V 14A DFN2*2-6L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:7500
Технические детали
- Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-DFN (2x2)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±12V