Инвентаризация:501500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 4A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.4W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±10V

Сопутствующие товары


RF TRANS NPN 45V 2.3GHZ 55BT

Инвентаризация: 0

P20V,RD(MAX)<56M@-4.5V,RD(MAX)<8

Инвентаризация: 11060

Magnehelic Gage Range .50-0-.50I

Инвентаризация: 1

MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23

Инвентаризация: 300000

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Инвентаризация: 5104

MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT-23

Инвентаризация: 300000

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

Инвентаризация: 9197

MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT-23

Инвентаризация: 270000

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Инвентаризация: 58763

P30V,RD(MAX)<20M@-10V,RD(MAX)<26

Инвентаризация: 7402

Top