Технические детали

• Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Прирост 11.6dB
• Мощность - Макс. 6.4W
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1.2A
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 15V
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V
• Частота – переход 1GHz
• Коэффициент шума (дБ, тип @ f) 3.3dB @ 836MHz
• Пакет устройств поставщика 8-SOIC-EP