- Модель продукта IRF5801TRPBF
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:10785
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 600mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 360mA, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика Micro6™(TSOP-6)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 88 pF @ 25 V