Инвентаризация:2130

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1020 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 650V 36A TO263-7

Инвентаризация: 3950

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

Top