Инвентаризация:2300

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 68A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 43mOhm @ 41.4A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 277W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 11.5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-263-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3424 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

1200V 32MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1470

Top