Инвентаризация:1724

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 380mA (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6Ohm @ 190mA, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-92-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.4 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 195 pF @ 25 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F

Инвентаризация: 948

MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23-3

Инвентаризация: 52214

MOSFET N-CH 600V 300MA TO92-3

Инвентаризация: 7349

Top