Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
• Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tj)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5400pF @ 1000V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28.9mOhm @ 30A, 15V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 162nC @ 15V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.9V @ 17mA