- Модель продукта BSM450D12P4G102
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS 0
- Описание SIC 2N-CH 1200V 447A MODULE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1504
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 2 N-Channel
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Технологии Silicon Carbide (SiC)
- Мощность - Макс. 1.45kW (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 447A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 44000pF @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 218.4mA
- Пакет устройств поставщика Module
Сопутствующие товары
SIC 2N-CH 1700V 250A MODULE
Инвентаризация: 31
SIC 2N-CH 1200V 400A MODULE
Инвентаризация: 4
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Инвентаризация: 0
SIC 2N-CH 1200V 450A MODULE
Инвентаризация: 351
