Технические детали

• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4A (Ta)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.6 nC @ 30 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3230 pF @ 50 V