Технические детали

• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора P-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.2A (Ta)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 917 pF @ 10 V