Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -50°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 48A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13.6mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 61W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика 8-PPAK (3.1x3.1)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 55 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3280 pF @ 50 V