- Модель продукта G900P15D5
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание P-150V,-60A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-DFN (4.9x5.75)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 150 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4050 pF @ 75 V
Сопутствующие товары
MOSFET P-CH 150V 2.7A/9A 8MLP
Инвентаризация: 42
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Инвентаризация: 0
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
Инвентаризация: 0
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V
Инвентаризация: 2363
MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L
Инвентаризация: 50000
P-150V,-50A,RD(MAX)<80M@-10V,VTH
Инвентаризация: 1931
MOSFET P-CH 150V 50A TO-252
Инвентаризация: 2500
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
Инвентаризация: 19232
