- Модель продукта NTGD4167CT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:925329
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 900mW
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.6A, 1.9A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 295pF @ 15V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
- Особенность полевого транзистора Logic Level Gate
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 6-TSOP