Инвентаризация:7455

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerWDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Ta), 151A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 20A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 100W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 48µA
  • Пакет устройств поставщика PG-WHSON-8-1
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 53 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4420 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 60V 100A TDSON

Инвентаризация: 7850

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V

Инвентаризация: 5980

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

Top