Технические детали

• Пакет/кейс 9-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 15.6A (Ta), 99A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 100W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 47µA
• Пакет устройств поставщика PG-WHTFN-9
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3250 pF @ 40 V