Инвентаризация:1738

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40.3A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 10A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 187.5W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 10mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 62.3 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1716 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM

Инвентаризация: 240

Top