Инвентаризация:5390

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 2A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 8-SOP
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1624 pF @ 40 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO

Инвентаризация: 13831

P-100V, 3.5A,RD<200M@-10V,VTH1V~

Инвентаризация: 3855

MOSFET P-CH ESD 100V 3.5A SOP-8

Инвентаризация: 4000

MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3842

MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8

Инвентаризация: 46297

Top