Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28.4mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 20.8W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика DFN3333
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4304 pF @ 30 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


N-CHANNEL MOSFET SOT-23

Инвентаризация: 1101

MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8

Инвентаризация: 2969

Top