Инвентаризация:28268

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип транзистора NPN
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 140mV @ 200mA, 2A
  • Ток-отсечка коллектора (макс.) 100nA (ICBO)
  • Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 @ 1A, 2V
  • Частота – переход 100MHz
  • Пакет устройств поставщика SOT-23-3 (TO-236)
  • Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 2 A
  • Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60 V
  • Мощность - Макс. 460 mW

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP

Инвентаризация: 71576

MOSFET N-CH 30V 13.3A/16A 8MLP

Инвентаризация: 3000

MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56

Инвентаризация: 8383

MOSFET N/P-CH 30V 6.4A 8SOIC

Инвентаризация: 28874

TRANS PNP 60V 2A SOT23-3

Инвентаризация: 13622

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN

Инвентаризация: 1180

Top