Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 3W (Ta), 37W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 24A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683pF @ 50V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 32mOhm @ 5A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11.9nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UXD)
  • Оценка Automotive
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO

Инвентаризация: 9842

MOSFET P-CH 40V 8A/22A PWRDI3333

Инвентаризация: 1845

MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN

Инвентаризация: 4202

MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO

Инвентаризация: 6713

TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3

Инвентаризация: 79490

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23

Инвентаризация: 0

Top