- Модель продукта G1K3N10G
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N100V, 5A,RD<130M@10V,VTH1V~2V,
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2253
Технические детали
- Пакет/кейс TO-243AA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 130mOhm @ 5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.5W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-89
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 644 pF @ 50 V