Инвентаризация:9221

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Ta), 39A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 30A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 28W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PG-TDSON-8-5
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1200 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON

Инвентаризация: 29587

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8-1

Инвентаризация: 13626

MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC

Инвентаризация: 8858

Top