Инвентаризация:4490

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 1.1W (Ta)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta), 47A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2101pF @ 15V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 18A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15.6nC @ 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 400µA
  • Пакет устройств поставщика PowerDI3333-8 (Type G)

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333

Инвентаризация: 1990

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

Инвентаризация: 4700

MOSFET 2N-CH 40V 23A 12POWER

Инвентаризация: 11096

40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 25V 30A 8PWR33

Инвентаризация: 8700

MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33

Инвентаризация: 16381

MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 10223

MOSFET 2N-CH 30V 35A PWRPAIR

Инвентаризация: 5314

MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR

Инвентаризация: 6064

Top