Инвентаризация:11463

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 330mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN0606-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 17 pF @ 16 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606

Инвентаризация: 3082

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

Инвентаризация: 82458

MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2

Инвентаризация: 18208

MOSFET N-CH 60V 270MA SOT323

Инвентаризация: 78995

Top