Инвентаризация:11375

Технические детали

  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 310mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 300mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика X2-DFN0606-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±12V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.3 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15.4 pF @ 15 V

Сопутствующие товары


MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN1006-

Инвентаризация: 18885

MOSFET N-CH 30V 220MA 3DFN

Инвентаризация: 12926

MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606

Инвентаризация: 3082

MOSFET N-CH 60V 350MA DFN0606-3

Инвентаризация: 20887

Top