Технические детали

• Пакет/кейс 3-XFDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 300mA (Ta)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 100mA, 4V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 350mW (Ta)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика X2-DFN1006-3
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4V
• ВГС (Макс) ±10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 39 pF @ 3 V