- Модель продукта G2003A
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 540mOhm @ 2A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.8W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика SOT-23-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 190 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 12 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 580 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23
Инвентаризация: 1313
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIOD
Инвентаризация: 3000
MOSFET N-CH 100V 7.5A TO252
Инвентаризация: 6147
N200V,RD(MAX)<850M@10V,RD(MAX)<9
Инвентаризация: 826
MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Инвентаризация: 42000
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Инвентаризация: 956
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Инвентаризация: 117000
