Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
• Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 352W (Tj)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 900V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 149A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7007pF @ 450V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 15V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 546.4nC @ 15V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 40mA