Технические детали

• Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
• Тип монтажа Through Hole
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 500 @ 300mA, 5V
• Пакет устройств поставщика TO-92-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 800 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 700 mW
• Резистор — база (R1) 1 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 10 kOhms