Технические детали

• Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
• Тип монтажа Surface Mount
• Тип транзистора NPN - Pre-Biased
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1.15V @ 8mA, 800mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 500nA
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 180 @ 300mA, 5V
• Пакет устройств поставщика SMT3; MPAK
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 V
• Мощность - Макс. 250 mW
• Резистор — база (R1) 1 kOhms
• Резистор — база эмиттера (R2) 1 kOhms