Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerWDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13A (Ta), 85A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 20A, 10V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Ta), 100W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 48µA
• Пакет устройств поставщика PG-WHSON-8-1
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
• ВГС (Макс) ±20V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 43 nC @ 10 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3000 pF @ 50 V