- Модель продукта IPT012N08NF2SATMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5339
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerSFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 39A (Ta), 351A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.23mOhm @ 150A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.8V @ 267µA
- Пакет устройств поставщика PG-HSOF-8-10
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 255 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 12000 pF @ 40 V