- Модель продукта EPC2619ENGRT
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 16A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 5.5mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.3 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1180 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Инвентаризация: 3921
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Инвентаризация: 1578
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Инвентаризация: 25981
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Инвентаризация: 7026
