Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 9-PowerSMD
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Мощность - Макс. 379W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5900pF @ 100V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 23A, 10V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 116nC @ 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.75V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика 9-ACEPACK SMIT

Сопутствующие товары


OPTIMOS 5 POWER MOSFET

Инвентаризация: 0

MOSFET 2N-CH 650V 32A 9ACEPACK

Инвентаризация: 222

MOSFET 2N-CH 650V 53A 9ACEPACK

Инвентаризация: 46

Linear IC's

Инвентаризация: 58

Top