Технические детали

• Конфигурация 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200V (1.2kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 62.5A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6050pF @ 800V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 11.7mOhm @ 62.5A, 18V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 200nC @ 18V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5.15V @ 28mA