- Модель продукта DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание MOSFET 4N-CH 2000V 50A AG-EASY3B
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1501
Технические детали
- Пакет/кейс Module
- Тип монтажа Chassis Mount
- Конфигурация 4 N-Channel
- Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 2000V (2kV)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 50A (Tj)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 7240pF @ 1.2kV
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26.5mOhm @ 60A, 18V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 234nC @ 18V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.15V @ 34mA
- Пакет устройств поставщика AG-EASY3B