Инвентаризация:1510

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N Channel (Phase Leg)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Мощность - Макс. 690W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 700V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 241A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 9000pF @ 700V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 80A, 20V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 430nC @ 20V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 8mA

Сопутствующие товары


SIC 6N-CH 1700V 122A

Инвентаризация: 3

SIC 2N-CH 700V 353A

Инвентаризация: 6

SIC 6N-CH 700V 124A

Инвентаризация: 1

ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,

Инвентаризация: 8

ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,

Инвентаризация: 32

Top