Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс Module
  • Тип монтажа Chassis Mount
  • Конфигурация 2 N Channel (Phase Leg)
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии Silicon Carbide (SiC)
  • Мощность - Макс. 365W (Tc)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 700V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 124A (Tc)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4500pF @ 700V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 20V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 215nC @ 20V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 4mA

Сопутствующие товары


MOSFET 6N-CH 1200V 29.5A MODULE

Инвентаризация: 0

SIC 2N-CH 1200V 45A AG-EASY1B

Инвентаризация: 24

SIC 2N-CH 1200V 58A SMPD

Инвентаризация: 0

SIC 4N-CH 700V 124A

Инвентаризация: 8

SIC 4N-CH 700V 124A SP3F

Инвентаризация: 5

Top