Технические детали

• Пакет/кейс 3-XDFN Exposed Pad
• Тип монтажа Surface Mount, Wettable Flank
• Тип транзистора NPN
• Рабочая Температура 150°C (TJ)
• Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 100mA
• Ток-отсечка коллектора (макс.) 15nA (ICBO)
• Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
• Частота – переход 100MHz
• Пакет устройств поставщика DFN1110D-3
• Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 mA
• Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 65 V
• Мощность - Макс. 340 mW