- Модель продукта G35N02K
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS 1
- Описание N20V,RD(MAX)<13M@4.5V,RD(MAX)<18
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1717
Технические детали
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 13mOhm @ 20A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика TO-252
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±12V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1380 pF @ 10 V