Инвентаризация:5487

Технические детали

  • Пакет/кейс PowerPAK® SO-8
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.2A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 174mOhm @ 3.8A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.9W (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 135 nC @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 3348

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212

Инвентаризация: 13008

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

Инвентаризация: 7033

MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70

Инвентаризация: 16200

MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Инвентаризация: 1211

MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

P-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE

Инвентаризация: 5209

Top