Технические детали

• Пакет/кейс Module
• Тип монтажа Chassis Mount
• Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
• Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии Silicon Carbide (SiC)
• Мощность - Макс. 319W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700V (1.7kV)
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 64A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3300pF @ 1000V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 45mOhm @ 30A, 20V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 178nC @ 20V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.2V @ 2.5mA