Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerTDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Конфигурация N and P-Channel Complementary
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии MOSFET (Metal Oxide)
• Мощность - Макс. 2.6W (Ta), 25W (Tc)
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 12V, 20V
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta), 31.3A (Ta), 6.7A (Ta), 20.9A (Tc)
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1525pF @ 6V, 866pF @ 6V
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 38mOhm @ 8.9A, 4.5V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30.4nC @ 8V, 19nC @ 8V
• Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
• Пакет устройств поставщика PowerDI5060-8 (Type UXD)
• Оценка Automotive
• Квалификация AEC-Q101