Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.5A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 15mOhm @ 7A, 4.5V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 900mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика U-DFN2020-6 (Type F)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 8 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1710 pF @ 10 V

Сопутствующие товары


MOSFET 2N-CH 12V 20A X2-TSN1820

Инвентаризация: 2989

MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN

Инвентаризация: 44560

MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN

Инвентаризация: 3000

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Инвентаризация: 0

Top