- Модель продукта G06NP06S2
- Бренд Goford Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N/P-CH 60V 6A 8SOP
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:13460
Технические детали
- Пакет/кейс 8-SOP
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация N and P-Channel
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Мощность - Макс. 2W (Tc), 2.5W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)