- Модель продукта NTMFS3D2N10MDT1G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание PTNG 100V LOW Q3.2MOHM N-FET, HE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2975
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Ta), 142A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.8W (Ta), 155W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 316µA
- Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 71.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3900 pF @ 50 V